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半導體清洗技術
晶體硅太陽能電池的制造工藝
LED芯片的制造工藝流程簡介
LED外延片簡介
傳統的濕法清洗
LED外延片介紹及辨別質量方法
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About SPMC
 
硅密(常州)電子設備有限公司(SPMC)是設立在常州電子產業園的美商獨資企業,成立于2004年,專業提供半導體濕法方面的解決方案。擁有豐富的行業經驗,提供半導體、太陽能、LED濕法設備的設計、制造、維護和技術支持服務。
 
 
硅密(常州)電子設備有限公司
常州新北區電子產業園新科路21號
 
工作時間
周一~周五8:30-17:30

電話:(0519) 85486173
傳真:(0519) 85486203

傳統的濕法清洗


濕法清洗技術

1.改進的RCA清洗法

RCA清洗法已成為多種前后道清洗的基礎工藝,目前大多數廠家使用了改進的RCA法。最初的RCA法依靠溶劑、酸、表面活性劑和水,在不破壞圓片表面特征的情況下噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解圓片表面的污染物、有機物和金屬離子污染。而改進的RCA法通過添加表面活性劑和HF,并采用稀釋RCA工藝來改善清洗效果。

2. 稀釋化學法

在改進RCA清洗法的基礎上,對于1號標準清洗液SC-1和2號標準清洗液SC-2的混合溶劑采用稀釋化學法,不但可以大量節省化學試劑和去離子水,而且SC-2混合溶劑中的H2O2可以完全被清除掉。稀釋APM SC-2混合溶劑(1:1:50)能夠有效地從晶片表面去除顆粒和碳氫化合物,強烈稀釋 HPM混合溶液(1:1:60)和稀釋氯化氫(1:100)在清除金屬時能像SC-2溶劑一樣有效。采用稀釋氯化氫(HCl)溶液的另一優點是,在低HCl濃度下顆粒不會沉淀,因為pH值在2~2.5范圍內硅與硅氧化物是等電位的,pH值高于該點,圓片表面帶有網狀負電荷;低于該點,圓片表面帶有網狀正電荷。這樣當pH值>2~2.5時,溶液中的顆粒與硅表面均帶有相同的電荷,顆粒與硅表面之間形成靜電屏蔽,硅片在溶液中浸泡期間受到屏蔽并阻止顆粒從溶液中沉積到硅表面。但當pH值<2時,硅片表面帶正電荷,而顆粒帶有負電荷,這樣就不致產生屏蔽效果。因此有效地控制HCl濃度,可以阻止溶液中顆粒沉積到圓片表面[4-5]。

3.單晶片清洗法

因大直徑圓片清洗采用上述方法不易完成其清洗過程,故通常采用單晶片清洗法。清洗過程是在室溫下重復利用DI-O 3與稀釋的氫氟酸(DHF)清洗液,臭氧化的DI水(DI H2O-O3)產生氧化硅,稀釋DHF蝕刻氧化硅,同時清除顆粒和金屬污染物。根據蝕刻和氧化要求,采用較短的噴淋時間就可獲得良好的清洗效果,且不發生交叉污染。最后的沖洗可以采用DI H2O,亦可采用DI H2O-O3。為了避免水漬,可采用濃縮大量氮氣的異丙基乙醇(IPA)進行干燥處理。單晶片清洗具有比改進的 RCA清洗法更佳的效果,清洗過程中通常再循環利用DI H2O及DHF,以此來降低化學品的消耗量,同時提高圓片的成本效益

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